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质疑对手技术领先,三星将公开 10 nm级制程 DRAM 电路线宽应战

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-05-07

先前媒体报导,目前仍在 DRAM 市占上领先全球的南韩大厂三星,在竞争对手持续在技术上的精进,甚至宣布超越三星推出新一代技术的产品之后,三星开始担心就此失去全球龙头的位置。对此,根据南韩媒体 《BusinessKorea》 的报导,三星准备打破 DRAM 业界的传统,预计将公布 DRAM 产品的电路线宽,以显示三星赞技术上的领先,并进一步在竞争对手的竞争下持续维持领先的态势。

报导指出,DRAM 的电路线宽被业界认定是衡量半导体记忆体公司技术能力的重要指标,原因是 DRAM 的电路线宽越窄,其功率效率就越高。因此,在牵涉技术机密情况下,过去 DRAM 业界的传统就是不明确公开相关产品的确切电路线宽。而且,随着 DRAM 制程技术在 2016 年进入 10 奈米级制程之后,DRAM 制造商也普遍共识要避免过去参与相关技术与市场的恶性竞争。原因在于在进入到 10 奈米级制程之后,DRAM 制造商要将电路线宽缩小 1 奈米,就需要 2 到 3 年研发时间,如此长的研发时间与成本投入,也代表着透过技术议题来进行行销的意义效果并不大。
所以,基于以上的因素,在过去的 5 到 6 年中,全球 DRAM 制造商事实上从未确实的发表过 DRAM 产品的电路线宽数字。这也是 DRAM 产业普遍将 2016 年推出的 10 奈米级制程归类为第一代 1x 奈米制程,将 2018 年推出的 10 奈米级制程归类为第二代 1y 奈米制程,以及在同一年推出的 10 奈米级制程归类为第三代 1z 奈米制程,之后于 2021 年初问世问世的第四代 10 奈米级制程,其就称之为 1a 奈米制程的原因。
报导强调,就因为 DRAM 厂商普遍将 10 奈米级制程以 1x 奈米制程、1y 奈米制程、1z 奈米制程等来称呼,所以很难清楚确认例如三星的 1z 奈米制程 DRAM 和 SK 海力士的 1z 奈米制程 DRAM 在电路线宽上的差异。对此,三星决定放弃传统打 “模糊战” 的方式,预计将公布旗下各 10 奈米级制程 DRAM 的电路线宽,其代表三星对于本身制程的信心之外,并进一步面对竞争对手的竞争。
三星表示,其将在 2021 年下半年大量生产 1a 奈米制程 DRAM,该产品的电路线宽就是 14 奈米。事实上,三星是全球第一家在 2016 年初开始大量生产第一代 1x 奈米制程 DRAM 的公司,而这量产的时间在当时领先了竞争对手 SK 海力士和美光大约半年到1年的时间。而即使到了 2019 年开发出 1z 奈米制程 DRAM 之前,即使三星没有详细公布其 DRAM 的电路线宽,却也没有人否认三星拥有 DRAM 产业中最好的技术。
只是,以上业界习以为常的情况,终于在第四代 1a 奈米制程 DRAM 的产品上被打破。这是因为全球第三大 DRAM 制造商美商美光 (Micron) 在 2021 年 1月令人意外的宣布,已经开发出全球首个,而且已经大量生产的 1a 奈米制程 DRAM,这使得美光在技术上的发展一口气领先了员的龙头三星。而对于这样的情况,三星主管 DRAM 的 DS 业务高层表示了忧心与不满,因为三星 DS 业务高层认为过去所生产 的1x、1y 和 1z 奈米制程 DRAM 的性能远远优于竞争对手,如今在技术上被超越是很大的冲击,于是也开始怀疑了美光宣称的 1a 奈米制程 DRAM 的实际情况。
报导强调,三星不仅怀疑美光夸大宣称其 1a 奈米制程 DRAM 的效能。而且,因为至今还没看到美光发表相关产品的照片,也质疑其 1a 奈米制程 DRAM 是否已经真的可以进行大规模量产。在此情况下,三星决定明确的公布其下各代 10 奈米级制程 DRAM 的电路线宽数字,除了代表以真正的实力面对竞争对手的挑战之外,更希望长时间能巩固 DRAM 龙头宝座位置。
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