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DRAM厂对未来的展望和规划

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-08-11
三星预计2021年全年DRAM bit增长在20%左右。三星依然看好下半年需求,三星将推动向15nm DRAM产能转换,并将于下半年开始实现基于EUV工艺的14nm DRAM量产,并扩大EUV技术在DRAM制造中的应用。
SK海力士表示,1z nm DRAM产品已经在二季度全面量产,下半年其将推动基于1Znm技术的16GB DRAM产能扩张;基于EUV工艺的1αnm DRAM产品已经量产,并将于下半年开始给客户供货。另外下半年也将带来DDR5产品。
美光表示1α nm DDR4产品已经在PC平台获多项资格认证,下半年将带来DDR5产品。目前终端需求并未得到完全的满足,预计到2022年存储芯片的供应都将持续保持“紧张”。
南亚科技表示,自去年底DDR3涨幅已超过1倍,带动二季度DRAM平均售价环比增长30%。南亚科技对整体市场需求持谨慎乐观态度,预计整体第三季的内存价格仍可望持续较第二季上扬。
华邦电子表示,目前产能持续满载,加上涨价效益逐渐反映,第三季毛利率预计再成长。
在供需各方因素综合作用下三季度存储行情延续涨势,根据CFM闪存市场信息得知,存储原厂已经对PC OEM、服务器、智能手机三大应用客户的三季度合约价全面涨价。尽管目前看存储市场各领域需求有撑,然而冷静分析下,在PC及智能手机客户砍单动作背后,如今的存储市场供需关系已经由全面供不应求转变为结构性供需失衡。尤其终端客户库存风险高以及长短料严重的现状不容忽视,有可能导致Q3成为今年存储行情“分水岭”,加上上游资源释出增加,Q4则有可能增长乏力甚至存在降价风险。
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