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QLC 技术大突破 写入寿命比 SLC 还多 ?

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-12-09
QLC 技术大突破 写入寿命比 SLC 还多 ?
IBM QLC 新技术可实现 1.6 万次 P/E 擦写

为追求更大容量、更低价格,现时不少主流级 SSD 产品都转用 QLC NAND Flsh,但让人担心的是 QLC 的 P/E 擦写次数非常低,最多也能做到约 800~1,000 次,有够短命,不过 IBM 正在研发全新的 NAND Flash 控制器,优化算法可以将 QLC NAND Flash 的 P/E 擦写次数 16,000 次,甚至比 SLC 还要多,有够夸张。 
首次我们要先知道一些 NAND Flash 基本特性,随着 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技术升级,由于需要更复杂的电压层级控制,令 P/E 寿命因而降低了,另外制程工艺升级亦会令P/E寿命下降。 
究竟下降有多严重呢 ? SLC 采用老旧的 5xnm 制程 P/E 寿命可达 11,000,但转用先进的 1xnm 制程,P/E 寿命会下降至只有约 5,000 次,和 3xnm的 MLC 的 P/E 寿命相约。
现在 TLC SSD 已经成为了主流,大约可以看到它在 1xnm 制程下只余下 500次,如果转入 QLC 的话会跌至 70 次,PLC 就更惨大约只有 35次,理论上就是全写满 35次就要升天了。 
以上数据均为 2D NAND Flash 下的表现,换上 3D NAND Flash 更多层堆叠再加上较老旧的制程,寿命可能会好一点,但 QLC 如果技术没改进,最多寿命就是约 800~1,000 次。 
IBM NAND Flash 事业群 CTO Andy Walls 公布,IBM 正研发全新的 NAND Flash 控制器,加入了监视、区分 NAND Flash 健康度的演算法,健康度较佳的 NAND Flash 会被放置经常暂存的收据,健康度变低的 NAND Flash 则会存放短期内不被变更的数据,透过此演算法令 QLC 写入寿命延长了 2X,再加上 IBM 的 Super SLC Cache 演算法,透过全新的压缩技术将 SLC Cache 实际容量提升了 3 倍,经优化后 TLC NAND Flash 可实现等效 18,000 P/E,QLC NAND Flash 则达至等效 16,000 次。
 
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